Развитие элементной базы современных электронных устройств, связано с прогрессом в области полупроводниковых технологий. При этом для элементной базы свойственна тенденция к сокращению размеров и повышению быстродействия.
Кремний – считается главным материалом электроники. Кристаллический кремний ― самый чистый в мире материал, который способна получать современная промышленность. На основе кремниевой планарной технологии создаётся большинство структур пониженной размерности для микро- и оптоэлектронных устройств. Один из методов создания подобных низкоразмерных систем на поверхности кремниевой пластины ― молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Эпитаксия ― это выращивание одного кристаллического материала на другом с повторением структуры и ориентации подложки.
Ученые из новосибирского Института физики полупроводников ищут ответ на вопрос: как именно происходит эпитаксиальный рост на реальной кристаллической поверхности кремния на начальных стадиях осаждения как самого кремния, так и германия с оловом ― элементов одной группы с кремнием. И тут научный интерес разбивается на две ветви: с одной стороны, наука пытается описать, как с фундаментальной точки зрения взаимодействуют между собой одинаковые атомы и атомы различных материалов на кристаллической поверхности.
С другой стороны, практической – они выясняют, как при конкретных ростовых условиях получить на подложке кремния однослойные и многослойные структуры с разным составом заданного кристаллического совершенства, применимые для создания перспективных низкоразмерных структур.
Подробности в подкасте «3.14 Будущее наступило» у Алексей Петрова младшего научного сотрудника Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН
Проект создан при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ.
